SK海力士成功研发176层NAND闪存
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作者 作者 : KOTRA 작성일 日期 : 2020-12-08본문
sk海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4d nand闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技,美光11月宣布已批量出货176层nand闪存。
据sk海力士介绍,第三代4d nand闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6gb,提高了33%。
sk海力士于上月向控制器企业提供了nand样品,计划明年6月左右批量生产,并依次推出消费者级ssd、企业级ssd等产品,扩大各应用领域的市场。
据悉,三星电子也正在研发第七代v-nand,预计明年批量生产