第8代v-nand的1tb三层式存储单元（triple level cell）在一个cell中存放3bit数据，是单位面积存储密度达到业界最高水平的大容量闪存。第8代产品采用最新nand闪存标准toggle ddr 5.0接口，数据存取速度达到2.4 gbps（千兆比特每秒），比上一代提升约1.2倍。同时支持pcie 4.0插槽，今后还将支持pcie 5.0接口。

近来半导体行业掀起闪存堆栈层数竞争。今年美光科技、sk海力士分别宣布研制出232层、238层堆栈闪存。三星电子此前生产的第7代产品是176层堆栈。三星此次虽未披露第8代的堆栈层数，不过此前已多次强调拥有制造200层以上闪存的技术力量。