针对美国《芯片法案》的细则规定草案，韩国政府表示，草案内容避免了最恶劣的情况，扩大中国工厂的芯片产量也成为了可能。美国主要工作人员将于23日访韩，届时将进行细致协商。 
 
产业通商资源部对美国《芯片法案》细则规定评价说，此前的担忧得到了一定程度的消除，进一步扩大产量也成为了可能。
 
政府认为，韩国企业不仅可以维持和部分增设正在中国运营的芯片生产设备，还可以进行技术升级。政府预计，如果通过技术开发提高集成度，还可扩大中国工厂的产量。据介绍，芯片产量以原材料晶圆的投入量为准，晶圆单位产量增加，芯片的出货量也可随之增加。
 
产业通商资源部介绍说，到《芯片法案》最终确定为止有60天的意见听取时间，今后将持续与美方进行协商。美国主要工作人员将于23日访韩，将与美方继续协商，确保韩国企业获得充分的补贴。
 
此前，因美国政府限制向中国出口芯片设备，韩国企业在中国生产尖端芯片也受到了阻碍。虽然三星电子和sk海力士获得了一年的豁免期，到今年10月为止可将尖端设备投入中国工厂，但此后的情况则难以预料。
 
目前，sk海力士在中国无锡工厂生产40%的dram，在大连工厂生产20%的nand闪存。三星电子在中国西安工厂生产40%的nand闪存。 

原文链接：http://world.kbs.co.kr/service/news_view.htm?lang=c&seq_code=78781